M29W128GH70ZA6E详情
Micron M29W128GH70ZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
64
终端数量
64
Operating Temperature (Max.)
85C
Operating Temperature Classification
Industrial
Package Type
TBGA
Operating Temp Range
-40C to 85C
Interface Type
Parallel
Number of Words
16M/8M
Address Bus
24/23(b)
Operating Supply Voltage (Max)
3.6(V)
Operating Supply Voltage (Typ)
3/3.3(V)
Rad Hardened
无
Operating Supply Voltage (Min)
2.7(V)
Operating Temperature (Min.)
-40C
Programmable
有
Cell Type
NOR
Mounting
表面贴装
Package Description
TBGA, BGA64,8X8,40
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.28
Part Package Code
BGA
Manufacturer Part Number
M29W128GH70ZA6E
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
70 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
BGA64,8X8,40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
8000000
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B64
资历状况
不合格
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
8MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
密度
134217728(Bit)
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
134217728 bit
访问时间(最大)
70(ns)
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8/16(b)
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
128
行业规模
128K
页面尺寸
8/16 words
准备就绪/忙碌
YES
通用闪存接口
YES
供应电流
10(mA)
长度
13 mm
宽度
10 mm
M29W128GH70ZA6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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