M36P0R9070E0ZACF详情
Micron M36P0R9070E0ZACF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
107
RoHS
Compliant
Package Description
TFBGA, BGA107,9X12,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA107,9X12,32
Operating Temperature-Min
-30 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
96 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M36P0R9070E0ZACF
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.14
Part Package Code
BGA
包装
Tape & Reel
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-30 °C
附加功能
SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
107
JESD-30代码
R-PBGA-B107
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0002 A
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+PSRAM
宽度
8 mm
长度
11 mm
M36P0R9070E0ZACF拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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