MT41J256M16RE-125:D详情
Micron MT41J256M16RE-125:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
96
终端数量
96
Current - Supply (Nom)
280 mA
RoHS
Compliant
Package Description
TFBGA, BGA96,9X16,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
0.225 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT41J256M16RE-125:D
Clock Frequency-Max (fCLK)
800 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.66
Part Package Code
BGA
包装
Bulk
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
95 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
电压 - 供电
1.5 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.32 mA
数据总线宽度
16 b
组织结构
256MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
地址总线宽度
18 b
密度
4 Gb
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
4294967296 bit
最高频率
1.6 GHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.575 V
电压 - 供电 (最小值)
1.425 V
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10 mm
长度
14 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
MT41J256M16RE-125:D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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