MT45W1MW16BDGB-708IT详情
Micron MT45W1MW16BDGB-708IT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
54
终端数量
54
RoHS
Compliant
Package Description
VFBGA, BGA54,6X9,30
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA54,6X9,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT45W1MW16BDGB-708IT
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
也可采用同步突发模式
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
54
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8,1.8/3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
地址总线宽度
20 b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.00007 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
PSEUDO STATIC RAM
待机电压-最小值
1.7 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
辐射硬化
无
MT45W1MW16BDGB-708IT拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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