MT46H8M16LFCF-75:B详情
Micron MT46H8M16LFCF-75:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
60
终端数量
60
RoHS
Compliant
Package Description
8 MM X 10 MM, LEAD FREE, VFBGA-60
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
6 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT46H8M16LFCF-75:B
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.55
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
端口的数量
1
电源电流
95 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
数据总线宽度
16 b
组织结构
8MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
地址总线宽度
15 b
密度
128 Mb
记忆密度
134217728 bit
最高频率
133 MHz
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
10 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
MT46H8M16LFCF-75:B拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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