MT46H8M16LFCF75IT:B
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Micron MT46H8M16LFCF75IT:B

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型号

MT46H8M16LFCF75IT:B

品牌

Micron

utmel 编号

1616-MT46H8M16LFCF75IT:B

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 MM X 10 MM, LEAD FREE, VFBGA-60

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MT46H8M16LFCF75IT:B
MT46H8M16LFCF75IT:B Micron DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 MM X 10 MM, LEAD FREE, VFBGA-60

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MT46H8M16LFCF75IT:B详情

Micron MT46H8M16LFCF75IT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    60

  • 终端数量

    60

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    VFBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    8000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    6 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MT46H8M16LFCF-75IT:B

  • Number of Words

    8388608 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.54

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    1.8 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 最大电源电压

    1.9 V

  • 最小电源电压

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    95 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 数据总线宽度

    16 b

  • 组织结构

    8MX16

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    15 b

  • 密度

    128 Mb

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • 最高频率

    133 MHz

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    10 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

MT46H8M16LFCF75IT:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

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