Micron MT46V16M16CY-6:K

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

60

终端数量

60

RoHS

Compliant

Package Description

TBGA, BGA60,9X12,40/32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA60,9X12,40/32

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MT46V16M16CY-6:K

Clock Frequency-Max (fCLK)

167 MHz

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.44

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.24

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

60

JESD-30代码

R-PBGA-B60

资历状况

不合格

工作电源电压

2.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

最大电源电压

2.7 V

最小电源电压

2.3 V

端口的数量

1

电源电流

270 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.27 mA

访问时间

700 ps

数据总线宽度

16 b

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

15 b

密度

256 Mb

待机电流-最大值

0.004 A

记忆密度

268435456 bit

最高频率

333 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

宽度

8 mm

长度

12.5 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅