MT46V16M16TG-6T:C详情
Micron MT46V16M16TG-6T:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
66
终端数量
66
Current - Supply (Nom)
410 mA
RoHS
Compliant
Package Description
0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT46V16M16TG-6T:C
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
8.57
Part Package Code
TSOP
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
电压 - 供电
2.5 V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
2.6 V
温度等级
COMMERCIAL
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
700 ps
数据总线宽度
16 b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
地址总线宽度
15 b
密度
256 Mb
记忆密度
268435456 bit
最高频率
333 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm
MT46V16M16TG-6T:C拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron
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