MT46V64M8FN-6:D详情
Micron MT46V64M8FN-6:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
60
Package Description
10 X 12.50 MM, PLASTIC, FBGA-60
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA60,9X12,40/32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT46V64M8FN-6:D
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.63
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Micron Technology Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Number of Words
67108864 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
工作电源电压
2.5 V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.405 mA
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10 mm
长度
12.5 mm
MT46V64M8FN-6:D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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