Micron MT47H256M8THN-3:E

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

63

终端数量

63

RoHS

Compliant

Package Description

LFBGA, BGA63,9X11,32

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

128000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA63,9X11,32

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MT47H256M8THN-3:E

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

134217728 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.61

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

63

JESD-30代码

R-PBGA-B63

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.292 mA

组织结构

128MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.35 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

17 b

密度

2 Gb

待机电流-最大值

0.014 A

记忆密度

1073741824 bit

最高频率

667 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

访问模式

双库页面突发

自我刷新

YES

宽度

9 mm

长度

11.5 mm

无铅

无铅