MT47H64M16HR-25:E
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Micron MT47H64M16HR-25:E

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型号

MT47H64M16HR-25:E

品牌

Micron

utmel 编号

1616-MT47H64M16HR-25:E

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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MT47H64M16HR-25:E
MT47H64M16HR-25:E Micron 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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MT47H64M16HR-25:E详情

Micron MT47H64M16HR-25:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    84

  • Package Description

    TFBGA, BGA84,9X15,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    64000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA84,9X15,32

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    0.4 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MT47H64M16HR-25:E

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    400 MHz

  • Number of Words

    67108864 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    8.36

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    84

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.44 mA

  • 组织结构

    64MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.007 A

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    12.5 mm

0个相似型号

MT47H64M16HR-25:E拓展信息

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