Micron MT47H64M16HR-3EIT:E

表面安装

YES

终端数量

84

RoHS

Compliant

Package Description

8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MT47H64M16HR-3EIT:E

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.45

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.35 mA

访问时间

450 ps

数据总线宽度

16 b

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.007 A

记忆密度

1

最高频率

667 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

宽度

8 mm

长度

12.5 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅