注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron MT47H64M8B6-3E:D

Name: MT47H64M8B6-3E:D
Brand: Micron
SKU: 1616-MT47H64M8B6-3E:D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

MT47H64M8B6-3E:D

品牌

Micron

utmel 编号

1616-MT47H64M8B6-3E:D

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

MT47H64M8B6-3E:D Micron DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

MT47H64M8B6-3E:D详情

技术参数

Micron MT47H64M8B6-3E:D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

60
RoHS

Compliant
最高工作温度

85 °C
最小工作温度

0 °C
工作电源电压

1.8 V
访问时间

450 ps
数据总线宽度

8 b
地址总线宽度

16 b
密度

512 Mb
最高频率

667 MHz
辐射硬化

无
无铅

无铅

0个相似型号

MT47H64M8B6-3E:D拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

MT47H64M8B6-3E:D零件

M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

MT29F64G08AJABAWP-IT:B TR

Micron

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z