MT49H32M18CBM-25E:A
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Micron MT49H32M18CBM-25E:A

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型号

MT49H32M18CBM-25E:A

品牌

Micron

utmel 编号

1616-MT49H32M18CBM-25E:A

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 32MX18, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144

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MT49H32M18CBM-25E:A
MT49H32M18CBM-25E:A Micron DDR DRAM, 32MX18, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144

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MT49H32M18CBM-25E:A详情

Micron MT49H32M18CBM-25E:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    144

  • Package Description

    LEAD FREE, UBGA-144

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA144,12X18,40/32

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    15 ns

  • Operating Temperature-Max

    95 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MT49H32M18CBM-25E:A

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    400 MHz

  • Number of Words

    33554432 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.73

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    自动刷新

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    144

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B144

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.5/1.8,1.8,2.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.98 mA

  • 组织结构

    32MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.053 A

  • 记忆密度

    603979776 bit

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 顺序突发长度

    2,4,8

  • 交错突发长度

    2,4,8

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 宽度

    11 mm

  • 长度

    18.5 mm

0个相似型号

MT49H32M18CBM-25E:A拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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