MT49H32M18CFM-25E:A详情
Micron MT49H32M18CFM-25E:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
144
Package Description
UBGA-144
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA144,12X18,40/32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
15 ns
Operating Temperature-Max
95 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT49H32M18CFM-25E:A
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.74
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
144
JESD-30代码
R-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8,2.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.98 mA
组织结构
32MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.053 A
记忆密度
603979776 bit
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DDR DRAM
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
多库页面突发
宽度
11 mm
长度
18.5 mm
MT49H32M18CFM-25E:A拓展信息








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