MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR详情
Micron MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-TFBGA
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Package
Tape & Reel (TR)
Memory Types
Volatile
Product Status
活跃
厂商
Micron Technology Inc.
Mounting Styles
SMD/SMT
系列
-
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
32 Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1 G x 32
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
1G x 32
MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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