MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR详情
Micron MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MT53E1G32
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Mounting Styles
SMD/SMT
包装
切割胶带
操作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
系列
-
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
32 Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1 G x 32
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
1G x 32
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。