MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR详情
Micron MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
供应商器件包装
200-WFBGA (10x14.5)
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Minimum Operating Temperature
- 30 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MT53E1G32
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
包装
Reel
操作温度
-30°C ~ 85°C (TC)
系列
-
类型
SDRAM Mobile - LPDDR4
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
1.1V
内存大小
32 Gbit
时钟频率
2.133 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
-
数据总线宽度
32 bit
组织结构
1 G x 32
写入周期时间 - 字符、页面
-
组织的记忆
1G x 32
MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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