MT53E2G64D8TN-046 AAT:C TR详情
Micron MT53E2G64D8TN-046 AAT:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
556-LFBGA
供应商器件包装
556-LFBGA (12.4x12.4)
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
128 Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2 G x 64
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
2G x 64
MT53E2G64D8TN-046 AAT:C TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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