Micron MT54V512H36EF-6

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-TBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

MT54V512

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Access Time-Max

2.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

MT54V512H36EF-6

Number of Words

524288 words

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.78

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

QDR™

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 2.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

2.6 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.4 V

内存大小

18Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

167 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX36

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

组织的记忆

512K x 36

宽度

13 mm

长度

15 mm