MT54W1MH18JF-4详情
Micron MT54W1MH18JF-4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
终端数量
165
Package
Bulk
Base Product Number
MT54W1MH
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
MT54W1MH18JF-4
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.77
Part Package Code
BGA
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
QDR™
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Quad Port, Synchronous
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
内存大小
18Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
250 MHz
访问时间
4 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
QDR SRAM
组织的记忆
1M x 18
宽度
13 mm
长度
15 mm
MT54W1MH18JF-4拓展信息








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