Micron MT55L256L36FT-11

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

100-TQFP (14x20.1)

终端数量

100

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

MT55L256L

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

PLASTIC, TQFP-100

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Access Time-Max

8.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MT55L256L36FT-11

Clock Frequency-Max (fCLK)

90 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.58

Part Package Code

QFP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

ZBT®

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Synchronous, ZBT

电压 - 供电

3.135V ~ 3.465V

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

内存大小

8Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

90 MHz

电源电流-最大值

0.275 mA

访问时间

8.5 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

组织的记忆

256K x 36

宽度

14 mm

长度

20 mm