NAND01GR3B2AZA6F详情
Micron NAND01GR3B2AZA6F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2AZA6F
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA,
Risk Rank
5.47
Number of Words
134217728 words
Number of Words Code
128000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
长度
12 mm
宽度
9.5 mm
NAND01GR3B2AZA6F拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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