Micron NAND512W3A2SZA6F

表面安装

YES

终端数量

63

Package Description

VFBGA-63

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA63,10X12,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NAND512W3A2SZA6F

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.73

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

3A991.B.1.A

类型

SLC NAND类型

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B63

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.02 mA

组织结构

64MX8

座位高度-最大

1.05 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00005 A

记忆密度

536870912 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

数据轮询

NO

拨动位

NO

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

4K

行业规模

16K

页面尺寸

512 words

准备就绪/忙碌

YES

宽度

9 mm

长度

11 mm