Micron Technology BLS2K4G3D1609ES2LX0
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BLS2K4G3D1609ES2LX0
1616-BLS2K4G3D1609ES2LX0
无类别的
Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads
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DRAM Module DDR3 SDRAM 8Gbyte 240DIMM
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BLS2K4G3D1609ES2LX0详情
Micron Technology BLS2K4G3D1609ES2LX0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Vertical Cylinder, 4 Leads
供应商器件包装
Radial
Frequency-Self-Resonant
-
Package
Bulk
Inductance Frequency-Test
1 kHz
厂商
中央技术
Product Status
活跃
Material-Core
-
Current - Saturation (Isat)
930mA
操作温度
-
系列
CTCH110F
尺寸/尺寸
0.394 Dia (10.00mm)
容差
±10%
类型
Wirewound
屏蔽/屏蔽
Unshielded
电感,电感
330 µH
直流电阻(DCR)
520mOhm Max
谐振@频率
-
特征
-
座位高度(最大)
0.413 (10.50mm)
评级结果
-
BLS2K4G3D1609ES2LX0拓展信息







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