注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron Technology BLS4G4D26BFSE

Name: BLS4G4D26BFSE
Brand: Micron Technology
SKU: 1616-BLS4G4D26BFSE
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

BLS4G4D26BFSE

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-BLS4G4D26BFSE

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Ballistix Sport DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 1.2V 2666MT/S UDIMM Bulk

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

BLS4G4D26BFSE Micron Technology Ballistix Sport DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 1.2V 2666MT/S UDIMM Bulk

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

BLS4G4D26BFSE详情

技术参数

Micron Technology BLS4G4D26BFSE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

Axial
供应商器件包装

Axial
Frequency-Self-Resonant

30MHz
Package

Tape & Reel (TR)
Inductance Frequency-Test

2.5 MHz
厂商

中央技术
Product Status

活跃
Material-Core

Ferrite
Current - Saturation (Isat)

-
操作温度

-55°C ~ 125°C
系列

CTM3F
尺寸/尺寸

0.190 Dia x 0.441 L (4.82mm x 11.20mm)
容差

±5%
类型

Molded
额定电流

255 mA
屏蔽/屏蔽

Unshielded
电感,电感

18 µH
直流电阻（DCR）

2Ohm Max
谐振@频率

60 @ 2.5MHz
特征

-
座位高度(最大)

-
评级结果

-

0个相似型号

BLS4G4D26BFSE拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

MT29F64G08AJABAWP-IT:B TR

Micron

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z