Micron Technology CT32G4RFD4266-2G6E1
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CT32G4RFD4266-2G6E1
1616-CT32G4RFD4266-2G6E1
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DRAM Module DDR4 SDRAM 32Gbyte 288RDIMM (Alt: CT32G4RFD4266-2G6E1)
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CT32G4RFD4266-2G6E1详情
Micron Technology CT32G4RFD4266-2G6E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage, Rating
50 V
Case Code - in
0603
Case Code - mm
1608
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
0.000071 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
6-1879504-9
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
RoHS
Details
系列
CRGH
包装
Reel
容差
1 %
类型
大功率厚膜片式电阻器
电阻
549 Ohms
子类别
Resistors
额定功率
200 mW (1/5 W)
技术
厚膜
终端样式
SMD/SMT
产品类别
厚膜电阻器
产品
贴片厚膜电阻器
特征
-
产品类别
Thick Film Resistors - SMD
宽度
0.8 mm
高度
0.45 mm
长度
1.6 mm
CT32G4RFD4266-2G6E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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