CT51264BD186DJ
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Micron Technology CT51264BD186DJ

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型号

CT51264BD186DJ

utmel 编号

1616-CT51264BD186DJ

商品类别

存储器

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240UDIMM (Alt: CT51264BD186DJ)

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CT51264BD186DJ Micron Technology DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240UDIMM (Alt: CT51264BD186DJ)

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CT51264BD186DJ详情

Micron Technology CT51264BD186DJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-666

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 20mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    1µA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500µA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    -

  • 电阻基(R1)

    2.2kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    2.2kOhms

0个相似型号

CT51264BD186DJ拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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