Micron Technology CT51264BD186DJ
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CT51264BD186DJ
1616-CT51264BD186DJ
存储器
SOT-563, SOT-666
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DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240UDIMM (Alt: CT51264BD186DJ)
1最小包装量--
CT51264BD186DJ详情
Micron Technology CT51264BD186DJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-666
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
300mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
电阻基(R1)
2.2kOhms
电阻-发射极基极(R2)
2.2kOhms
CT51264BD186DJ拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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