Micron Technology CT8G3S1339M
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CT8G3S1339M
1616-CT8G3S1339M
存储器
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DRAM Module DDR3L SODIMM SDRAM 8 GB
1最小包装量--
CT8G3S1339M详情
Micron Technology CT8G3S1339M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Free Hanging (In-Line)
越来越多的功能
-
外壳材料
铝合金
插入材料
-
后壳材料,电镀
-
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
JTG06RE12
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Maximum Clock Rate
667 MHz
Sub-Category
DDR3L SDRAM
Total Density
8 GB
Typical Operating Supply Voltage
1.35 V
Mounting
Socket Mount
Main Category
DRAM模块
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series II, JT
终端
Crimp
连接器类型
Plug, Female Sockets
定位的数量
8
颜色
-
应用
Aviation, Marine, Military
紧固类型
卡口锁
额定电流
-
方向
N (Normal)
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
外壳完成
镉比镍
外壳尺寸-插入
12-8
外壳尺寸,MIL
-
电缆开口
-
数据总线宽度
64 Bit
组织结构
1G x 64
特征
联接螺母
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
CT8G3S1339M拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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