Micron Technology EDB8132B3PB-1D-F
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EDB8132B3PB-1D-F
1616-EDB8132B3PB-1D-F
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DRAM LPDRAM, 256Mb, 1.2V, 168-ball WFBGA, RoHS
1最小包装量--
EDB8132B3PB-1D-F详情
Micron Technology EDB8132B3PB-1D-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
168
Manufacturer Part Number
EDB8132B3PB-1D-F
Rohs Code
有
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
256000000
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
VFBGA,
Risk Rank
5.81
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Micron Technology Inc
Package Shape
SQUARE
Package Code
VFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
268435456 words
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.2V NOM
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B168
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
256MX32
座位高度-最大
0.8 mm
内存宽度
32
记忆密度
8589934592 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
长度
12 mm
宽度
12 mm
EDB8132B3PB-1D-F拓展信息







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