Micron Technology EDE2104ABSE-6E-E

表面安装

YES

终端数量

68

Package Description

TFBGA, BGA68,9X19,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

512000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA68,9X19,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

EDE2104ABSE-6E-E

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

536870912 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Elpida Memory Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ELPIDA MEMORY INC

Risk Rank

5.82

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.36

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

68

JESD-30代码

R-PBGA-B68

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.275 mA

组织结构

512MX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

2147483648 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

宽度

10.2 mm

长度

19 mm