Micron Technology EDJ4216EFBG-GN-F-R
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EDJ4216EFBG-GN-F-R
1616-EDJ4216EFBG-GN-F-R
存储器
100-LQFP
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DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA T/R
1最小包装量--
EDJ4216EFBG-GN-F-R详情
Micron Technology EDJ4216EFBG-GN-F-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
供应商器件包装
100-TQFP (14x14)
终端数量
96
Memory Types
Volatile
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
EDJ4216EFBG-GN-F-R
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.68
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tray
零件状态
活跃
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
技术
SRAM - Synchronous ZBT
电压 - 供电
2.375 V ~ 2.625 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
IDT71T75
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
内存大小
18Mb (1M x 18)
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
7.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
--
记忆密度
4294967296 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
9 mm
长度
13.5 mm
EDJ4216EFBG-GN-F-R拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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