Micron Technology EDW4032BABG-60-F
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EDW4032BABG-60-F
1616-EDW4032BABG-60-F
无类别的
119-BGA
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1最小包装量--
EDW4032BABG-60-F详情
Micron Technology EDW4032BABG-60-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
表面安装
YES
供应商器件包装
119-PBGA (14x22)
终端数量
170
Memory Types
Volatile
Package Description
TFBGA, BGA170,14X17,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA170,14X17,32
Operating Temperature-Max
95 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
EDW4032BABG-60-F
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Elpida Memory Inc
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ELPIDA MEMORY INC
Risk Rank
5.57
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
子类别
DRAMs
技术
SRAM - Synchronous ZBT
电压 - 供电
2.375 V ~ 2.625 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
IDT71T75
JESD-30代码
R-PBGA-B170
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.3905 V
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.3095 V
内存大小
18Mb (1M x 18)
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
100MHz
访问时间
5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
--
记忆密度
4294967296 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
16384
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
12 mm
长度
14 mm
EDW4032BABG-60-F拓展信息







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