EDW4032BABG-60-F
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Micron Technology EDW4032BABG-60-F

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型号

EDW4032BABG-60-F

utmel 编号

1616-EDW4032BABG-60-F

商品类别

无类别的

封装

119-BGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

EDW4032BABG-60-F datasheet pdf and Unclassified product details from Micron Technology stock available at utmel

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EDW4032BABG-60-F详情

Micron Technology EDW4032BABG-60-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    119-BGA

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    119-PBGA (14x22)

  • 终端数量

    170

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    TFBGA, BGA170,14X17,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    128000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA170,14X17,32

  • Operating Temperature-Max

    95 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    EDW4032BABG-60-F

  • Number of Words

    134217728 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.35 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Elpida Memory Inc

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    ELPIDA MEMORY INC

  • Risk Rank

    5.57

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    SRAM - Synchronous ZBT

  • 电压 - 供电

    2.375 V ~ 2.625 V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    IDT71T75

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B170

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3905 V

  • 电源

    1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.3095 V

  • 内存大小

    18Mb (1M x 18)

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    100MHz

  • 访问时间

    5ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    128MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    --

  • 记忆密度

    4294967296 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    16384

  • 顺序突发长度

    8

  • 交错突发长度

    8

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    12 mm

  • 长度

    14 mm

0个相似型号

EDW4032BABG-60-F拓展信息

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