Micron Technology M29W800DB70N1E
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M29W800DB70N1E
1616-M29W800DB70N1E
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M29W800DB70N1E详情
Micron Technology M29W800DB70N1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M29W800DB70N1E
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Description
TSOP1, TSSOP48,.8,20
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.82
类型
NOR型号
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
512KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1,2,1,15
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
M29W800DB70N1E拓展信息







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