Micron Technology M59DR032EA10ZB6
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M59DR032EA10ZB6
1616-M59DR032EA10ZB6
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NOR Flash Parallel 1.8V 32Mbit 2M x 16bit 100ns 48-Pin TFBGA Tray
1最小包装量--
M59DR032EA10ZB6详情
Micron Technology M59DR032EA10ZB6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
7 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
100 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M59DR032EA10ZB6
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.2
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
电源
1.8/2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.026 mA
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.35 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
33554432 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8,63
行业规模
4K,32K
页面尺寸
4 words
引导模块
TOP
通用闪存接口
YES
宽度
7 mm
长度
12 mm
M59DR032EA10ZB6拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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