Micron Technology MT1259-12
- 收藏
- 对比
MT1259-12
1616-MT1259-12
无类别的
100-LQFP
大陆
立即发货

Integrated Circuit Memory 41256/MT1259/12 MICRON TECHNOLOGY DRAM KX4=256
1最小包装量--
MT1259-12详情
Micron Technology MT1259-12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
NO
供应商器件包装
100-TQFP (14x14)
终端数量
16
Memory Types
Volatile
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT1259-12
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
8.75
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
DRAMs
技术
SRAM - Synchronous ZBT
电压 - 供电
2.375 V ~ 2.625 V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
IDT71T75
JESD-30代码
R-PDIP-T16
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
18Mb (512K x 36)
电源电流-最大值
0.055 mA
访问时间
8.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
--
记忆密度
262144 bit
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DRAM 模式页面
刷新周期
256
MT1259-12拓展信息







哦! 它是空的。