Micron Technology MT16HTF25664HY-667G1
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MT16HTF25664HY-667G1
1616-MT16HTF25664HY-667G1
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2GB 256MX64 DDR2 Sdram Module Pbf Sodimm 1.8V Non Buf
1最小包装量--
MT16HTF25664HY-667G1详情
Micron Technology MT16HTF25664HY-667G1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
200
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Manufacturer
Micron Technology Inc
Manufacturer Part Number
MT16HTF25664HY-667G1
Number of Words
268435456 words
Number of Words Code
256000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
DIMM
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
微电子组件
Part Life Cycle Code
Obsolete
Risk Rank
5.82
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
端子间距
0.6 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDMA-N200
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
3.44 mA
组织结构
256MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.112 A
记忆密度
17179869184 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
MT16HTF25664HY-667G1拓展信息







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