Micron Technology MT18HTF25672AY-800E1
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MT18HTF25672AY-800E1
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DDR2 800 MODULE UDIMM 2GB
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MT18HTF25672AY-800E1详情
Micron Technology MT18HTF25672AY-800E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
240
Voltage, Rating
3 kV
Case Code - in
2512
Case Code - mm
6432
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
0.001505 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1800
Mounting Styles
PCB 安装
Manufacturer
TT Electronics
Brand
Welwyn Components / TT Electronics
RoHS
Details
Package Description
DIMM, DIMM240,40
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIMM240,40
Operating Temperature-Max
55 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT18HTF25672AY-800E1
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.82
系列
GHVC
包装
Reel
容差
5 %
温度系数
100 PPM / C
电阻
178 kOhms
应用
高电压
子类别
Resistors
额定功率
1 W
技术
厚膜
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDMA-N240
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
4.23 mA
组织结构
256MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
产品类别
厚膜电阻器
待机电流-最大值
0.126 A
记忆密度
19327352832 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
产品
贴片厚膜电阻器
特征
Anti-Sulfur Resistors
产品类别
Thick Film Resistors - SMD
宽度
3.2 mm
高度
0.7 mm
长度
6.5 mm
MT18HTF25672AY-800E1拓展信息







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