Micron Technology MT25QL01GBBA8E12-1SIT
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MT25QL01GBBA8E12-1SIT
1616-MT25QL01GBBA8E12-1SIT
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NOR Flash Serial-SPI 3V 1Gbit 1024M/512M/256M x 1bit/2bit/4bit 6ns 24-Pin TBGA
1最小包装量--
MT25QL01GBBA8E12-1SIT详情
Micron Technology MT25QL01GBBA8E12-1SIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
引脚数
24
终端数量
24
RoHS
Compliant
Memory Types
FLASH, NOR
Package Description
6 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TBGA-24
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT25QL01GBBA8E12-1SIT
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
1073741824 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.84
类型
NOR型号
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
频率
133 MHz
JESD-30代码
R-PBGA-B24
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
电压
2.7 V
界面
SPI, Serial
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
1GX1
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
1
密度
1 Gb
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
2.7 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
MT25QL01GBBA8E12-1SIT拓展信息







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