Micron Technology MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT
- 收藏
- 对比
MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT
1616-MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT
无类别的
--
大陆
立即发货

FBGA-77
1最小包装量--
MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT详情
Micron Technology MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
77
Access Time-Max
70 ns
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Manufacturer
Micron Technology Inc
Manufacturer Part Number
MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Description
FBGA-77
Package Equivalence Code
BGA77,8X10,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.92
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
附加功能
CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
77
JESD-30代码
R-PBGA-B77
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00014 A
记忆密度
67108864 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
10 mm
宽度
8 mm
MT28C128532W30DFW-F70P70TTWT拓展信息







哦! 它是空的。