MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR
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Micron Technology MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR

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型号

MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR

utmel 编号

1616-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MASSFLASH/LPDDR2 2G

起订量

1最小包装量--

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MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR Micron Technology MASSFLASH/LPDDR2 2G

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MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR详情

Micron Technology MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 10 months ago)

  • 触点镀层

    Gold, Nickel

  • 底架

    Panel

  • 房屋材料

    ABS

  • 包装数量

    3000

  • Circuit Applications

    Signal

  • Contact Materials

    Bronze

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    MT29AZ2

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Box

  • 系列

    -

  • 终端

    IDC

  • 定位的数量

    4

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 颜色

    Clear

  • 行数

    1

  • 方向

    Straight

  • 屏蔽/屏蔽

  • 深度

    14.8 mm

  • 已加载定位数量

    4

  • 接头数量

    4

  • 房屋颜色

    Clear

  • 弱电

    Compliant

  • 最大额定电流

    1.5 A

  • 端口的数量

    1

  • 方向

    用户可选

  • 键控

  • 长度

    13.3 mm

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    800.1 nm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

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