Micron Technology MT29E256G08CECCBH6-6ES:C
- 收藏
- 对比
MT29E256G08CECCBH6-6ES:C
1616-MT29E256G08CECCBH6-6ES:C
存储器
--
大陆
立即发货

MLC NAND Flash Parallel 3.3V 256Gbit 32G x 8Bit 20ns 152-Pin VBGA
1最小包装量--
MT29E256G08CECCBH6-6ES:C详情
Micron Technology MT29E256G08CECCBH6-6ES:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage, Rating
200 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.007408 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Mounting Styles
PCB 安装
Manufacturer
Vishay
Brand
Vishay / Dale
RoHS
N
系列
RN
包装
Reel
容差
0.1 %
温度系数
25 PPM / C
类型
MIL-R-10509 Qualified Precision Film Resistor
电阻
111 kOhms
子类别
Resistors
额定功率
100 mW (1/10 W)
技术
Metal Film
终端样式
Axial
工作电源电压
3.3 V
铅直径
0.64 mm
内存大小
29.8 GB
产品类别
金属膜电阻器
产品
金属膜可控温度系数电阻器
特征
-
产品类别
Metal Film Resistors - Through Hole
长度
6.1 mm
直径
2.29 mm
MT29E256G08CECCBH6-6ES:C拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。