Micron Technology MT29F1T08CUECBH8-12ES:C
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MT29F1T08CUECBH8-12ES:C
1616-MT29F1T08CUECBH8-12ES:C
存储器
DO-219AB
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NAND FLASH 128GX8 PLASTIC PBF LBGA 3.3V MASS STORAGE COMME
1最小包装量--
MT29F1T08CUECBH8-12ES:C详情
Micron Technology MT29F1T08CUECBH8-12ES:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-219AB
供应商器件包装
DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt)
500 Ohms
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Automotive, AEC-Q101, BZD27B
包装
Tape & Reel (TR)
容差
--
零件状态
活跃
反向泄漏电流@ Vr
1µA @ 150V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
功率 - 最大
800mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
200V
MT29F1T08CUECBH8-12ES:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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