Micron Technology MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001
- 收藏
- 对比
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001
1616-MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001
存储器
--
大陆
立即发货

TLC NAND Flash Parallel 3.3V 6Tbit 768G x 8bit 25ns 132-Pin LBGA
1最小包装量--
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001详情
Micron Technology MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
界面
Parallel
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
1.181 (30.00mm)
强制空气流动时的热阻
4.72°C/W @ 100 LFM
访问时间
25
记忆密度
6
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
1.181 (30.00mm)
长度
1.181 (30.00mm)
直径
--
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B.001拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。