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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥169.440917
10
¥159.849919
100
¥150.801812
500
¥142.265864
1000
¥134.213076
Micron Technology MT40A1G8WE-083EIT:B
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- 对比
MT40A1G8WE-083EIT:B
1616-MT40A1G8WE-083EIT:B
存储器
--
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DRAM Chip DDR4 SDRAM 8G-Bit 1Gx8 1.2V 78-Pin FBGA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MT40A1G8WE-083EIT:B详情
Micron Technology MT40A1G8WE-083EIT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
终端数量
78
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT40A1G8WE-083EIT:B
Number of Words
1073741824 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.69
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B78
工作电源电压
1.2 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.26 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
1GX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
密度
8 Gb
记忆密度
8589934592 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
12 mm
无铅
无铅
MT40A1G8WE-083EIT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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