Micron Technology MT40A512M8WE-075E:E
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MT40A512M8WE-075E:E
1616-MT40A512M8WE-075E:E
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DRAM, DDR4, 4Gb, x8, 78-ball FBGA, RoHS
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MT40A512M8WE-075E:E详情
Micron Technology MT40A512M8WE-075E:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Steel
终端数量
78
For Use With
TriLine
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
512000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
95 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT40A512M8WE-075E:E
Number of Words
536870912 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.7
JESD-609代码
e1
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B78
电源电压-最大值(Vsup)
1.26 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
4294967296 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
50mm
长度
750mm
MT40A512M8WE-075E:E拓展信息







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