MT41J128M16JT-125AAT:K
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Micron Technology MT41J128M16JT-125AAT:K

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型号

MT41J128M16JT-125AAT:K

utmel 编号

1616-MT41J128M16JT-125AAT:K

商品类别

存储器

封装

0402 (1005 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA

起订量

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MT41J128M16JT-125AAT:K
MT41J128M16JT-125AAT:K Micron Technology DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA

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MT41J128M16JT-125AAT:K详情

Micron Technology MT41J128M16JT-125AAT:K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0402 (1005 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    0402

  • 终端数量

    96

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Base Product Number

    RS73G1ERT

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Package Description

    TFBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    128000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MT41J128M16JT-125AAT:K

  • Number of Words

    134217728 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.5 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.62

  • Usage Level

    Automotive grade

  • 系列

    RS73-RT

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 尺寸/尺寸

    0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e1

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    383 kOhms

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B96

  • 失败率

    -

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    128MX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 筛选水平

    AEC-Q100

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.575 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.425 V

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 特征

    Automotive AEC-Q200

  • 自我刷新

    YES

  • 座位高度(最大)

    0.016 (0.40mm)

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    14 mm

  • 评级结果

    AEC-Q200

0个相似型号

MT41J128M16JT-125AAT:K拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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