Micron Technology MT41K256M32SGB-15E:D
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MT41K256M32SGB-15E:D
1616-MT41K256M32SGB-15E:D
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MT41K256M32SGB-15E:D详情
Micron Technology MT41K256M32SGB-15E:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 days ago)
表面安装
YES
终端数量
136
Voltage, Rating
50 V
Schedule B
8533210045, 8533210045/8533210045/8533210045/8533210045/8533210045
Voltage Rating (DC)
50 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
RoHS
Compliant
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
MT41K256M32SGB-15E:D
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.72
包装
切割胶带
容差
0.1 %
温度系数
25 ppm/°C
电阻
8.66 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
额定功率
100 mW
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B136
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
256MX32
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
记忆密度
8589934592 bit
内存IC类型
DDR内存模块
访问模式
单库页面突发
自我刷新
YES
高度
350 µm
宽度
11 mm
长度
14 mm
MT41K256M32SGB-15E:D拓展信息







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