MT41K256M8DA-107 AIT:K TR
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Micron Technology MT41K256M8DA-107 AIT:K TR

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型号

MT41K256M8DA-107 AIT:K TR

utmel 编号

1616-MT41K256M8DA-107 AIT:K TR

商品类别

存储器

封装

78-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC Dram 2GBIT Par 78FBGA

起订量

1最小包装量--

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MT41K256M8DA-107 AIT:K TR
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR Micron Technology IC Dram 2GBIT Par 78FBGA

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MT41K256M8DA-107 AIT:K TR详情

Micron Technology MT41K256M8DA-107 AIT:K TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    78-TFBGA

  • 供应商器件包装

    78-FBGA (8x10.5)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    MT41K256M8

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C ~ 95°C (TC)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 技术

    SDRAM - DDR3L

  • 电压 - 供电

    1.283V ~ 1.45V

  • 内存大小

    2Gbit

  • 时钟频率

    933 MHz

  • 访问时间

    20 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 组织的记忆

    256M x 8

0个相似型号

MT41K256M8DA-107 AIT:K TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

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M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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