MT46H16M16LFBF6
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Micron Technology MT46H16M16LFBF6

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型号

MT46H16M16LFBF6

utmel 编号

1616-MT46H16M16LFBF6

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM LPDRAM, 16Mb, 1.8V, 60-ball VFBGA, RoHS

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MT46H16M16LFBF6
MT46H16M16LFBF6 Micron Technology DRAM LPDRAM, 16Mb, 1.8V, 60-ball VFBGA, RoHS

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MT46H16M16LFBF6详情

Micron Technology MT46H16M16LFBF6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    60

  • Access Time-Max

    5.5 ns

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    VFBGA, BGA60,9X10,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    16000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA60,9X10,32

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MT46H16M16LFBF-6

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    166 MHz

  • Number of Words

    16777216 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.69

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    1.8 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.12 mA

  • 组织结构

    16MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 密度

    256 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 最高频率

    166 MHz

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 周期

    6 ns

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    2,4,8

  • 交错突发长度

    2,4,8

  • 时钟速率

    167 MHz

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 电源电压(直流)

    1.8 V

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    9 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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MT46H16M16LFBF6拓展信息

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SMTA
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